R6520KNZ4 Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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R6520KNZ4

Nch 650V 20A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6520KNZ4

　　　　　　

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min. Typ. Max.

Source current

Pulsed source current

IS*1

TC = 25℃

ISP*2

-

-

20

A

-

-

60

A

Source-Drain voltage

VSD*5 VGS = 0V, IS = 20A

-

- 1.5 V

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

trr*5

Qrr*5

IS = 20A

di/dt = 100A/μs

Irr*5

- 500 -

ns

-

8

- μC

-

32

-

A

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20181005 - Rev.001

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