BAS116HY Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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BAS116HY

Switching Diode (Low leakage)

ROHM Semiconductor 

BAS116HY

Switching Diode (Low leakage)

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VRM

100

V

IFM

500

mA

IF

215

mA

IFSM

4000

mA

●Features

High reliability

Small mold type

Low IR

●Inner Circuit

Data sheet

　　　

　

　

　

　

　

　

　

　

　　　

●Application

General switching

●Structure

Epitaxial planar

●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Repetitive peak reverse voltage

VRM

Reverse voltage

VR

Power dissipation

PD

Repetitive peak reverse forward current IFM

Peak forward surge current

IFSM

Forward current

IF

Junction temperature

Tj

Storage temperature

Tstg

●Packaging Specifications

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

8

Quantity(pcs)

3000

Taping Code

T116

Marking

D8U

　　

　　　　

　

Conditions

-

Limits

Unit

100

V

-

Ta≦25℃

80

V

250

mW

-

500

mA

t=1μs

4000

mA

-

215

mA

-

125

mA

-

150

℃

-

-65 ～ 150

℃

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com

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　 2020/05/29_Rev.001

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