IGBT Module-Single
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(E)
(C)
(E)
2
1
4
(G)
3
300 A,1200V
QS043-401M0053 (2/4)
PHMB300B12
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
4 - Ø6.5
2 -M6
108
93
9
2
1
4
3
2 -M4
24 20 29
11
LABEL
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
DC
1ms
IC
ICP
PC
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
VISO
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque Busbar to Main Terminal
Ftor
M4
M6
Rated Value
1,200
±20
300
600
1,460
-40~+150
-40~+125
2,500
3(30.6)
1.4(14.3)
3(30.6)
Unit
V
V
A
W
℃
℃
V(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ICES
VCE= 1200V,VGE= 0V
-
-
6.0
mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
-
-
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC= 300A,VGE= 15V
-
1.9 2.4
V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 300mA
4.0
-
8.0
V
入力容量
Input Capacitance
Cies
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
-
25,000
-
pF
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
tr
ton
tf
toff
VCC= 600V
RL= 2Ω
RG= 1.3Ω
VGE= ±15V
-
0.25 0.45
-
0.40 0.70
μs
-
0.25 0.35
-
0.80 1.10
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
順
電
流
Forward Current
DC
1ms
IF
IFM
300
A
600
Characteristic
順
電
圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
VF
trr
IF= 300A,VGE= 0V
IF= 300A,VGE= -10V
di/dt= 600A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱
抵
抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c) Junction to Case
Min. Typ. Max. Unit
-
1.9 2.4
V
-
0.2 0.3
μs
Min.
-
-
Typ. Max. Unit
- 0.086 ℃/W
-
0.16
日本インター株式会社