BT136-O-C-N-B Просмотр технического описания (PDF) - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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производитель

BT136-O-C-N-B

TRIACS

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 

R

BT136

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)

项目

符号

测试条件

Parameter

Symbol

Condition

峰值重复断态电流

Peak Repetitive Blocking IDRM VDM=VDRM, Tj=125℃,

Current

gate open

峰值通态电压

Peak on-state voltage VTM ITM=5A

最小 典型 最大 单位

Min Typ Max Unit

-

- 0.5 mA

- 1.4 1.7 V

MT1(-),MT2(+),G(+) - 2.5 10 mA

门极触发电流

Gate trigger current

VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-) - 4.0 10 mA

IGT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)

-

5.0 10 mA

MT1(+),MT2(-),G(+) - 11 25 mA

门极触发电压

Gate trigger voltage

维持电流

Holding current

MT1(-),MT2(+),G(+) -

VDM=12V,

VGT RL=100Ω MT1(-),MT2(+),G(-)

-

MT1(+),MT2(-),G(-) -

IH VDM=12V, IGT=0.1A

-

- 1.5 V

- 1.5 V

- 1.5 V

- 20 mA

擎住电流

Latching current

MT1(-),MT2(+),G(+) -

VDM=12V,

IL

MT1(-),MT2(+),G(-) -

IGT=0.1A

MT1(+),MT2(-),G(-) -

3.0 15 mA

10 20 mA

2.5 15 mA

断态临界电压上升率

VDM=67% VDRM(MAX),

Rise of off- state voltage

dV/dt

Tj=125℃, gate open

- 50 - V/μs

门 极 开 通 时 间 Gate

ITM=6A, VDM=VDRM(MAX),

controlled turn-on time

tgt

IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS

-

2

- μs

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项目

Parameter

结到管壳的热阻

Thermal resistance

junction to case

符号

Symbol

条件

Condition

full cycle(TO-220C)

Rth(j-c)

full cycle(TO-220HF)

最小 典型 最大 单位

Min Typ Max Unit

3.0 ℃/W

4.5 ℃/W

电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION

项目

Parameter

绝缘电压

Isolation voltage

符号

Symbol

条

件

Condition

VISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF

数 值 单位

Value Unit

2000 V

版本：201510I

3/7

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