S1ZB60 Просмотр технического описания (PDF) - Shindengen
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S1ZB60 Datasheet PDF : 4 Pages
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SMD/DIP
S1ZB□
800V 0.8A
特長
• 小型 SMDパッケージ
または
• 小型 DIP パッケージ
• 耐久性に優れ高信頼性
Feature
• Small-SMD
or
• Small-DIP
• High-Reliability
Bridge Diode
■外観図 OUTLINE
Package：1Z（SMD）
④
①
④−
Z62N
品名略号
Type No. ③
ロット記号（例）
② Date code
③〜
Unit : mm
＋①
〜②
4.7
7.0
Package：1Z（DIP）
Unit : mm
④
①
④−
＋①
Z60N
品名略号
Type No. ③
ロット記号（例）
② Date code
③〜
〜②
4.7
3.8
2.5
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Terminal Connection.”
■定格表 RRAATTININGGSS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No. S1ZB60
S1ZB80
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta =25℃
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta=25℃
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
１素子当たりの規格値
per diode
−40〜150
150
600
800
0.8
0.5
30
4.5
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
VF
IF = 0.4A,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IR
VR =VRM,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX 1.05
MAX 10
熱抵抗
Thermal Resistance
θjl
θja
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
MAX 20
MAX 76
MAX 134
V
μA
℃/W
（J534-p〈2014.03〉）
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