RB715F Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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RB715F

Schottky Barrier Diode

ROHM Semiconductor 

RB715F

Schottky Barrier Diode

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VR

40

V

Io

30

mA

IFSM

0.2

A

●Features

High reliability

Small mold type

Low capacitance

●Inner Circuit

Data sheet

　　　

　

　

　

　

　

　

　

　

　　　

●Application

●Packaging Specifications

High speed switching

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

●Structure

Taping Width(mm)

8

Basic Ordering Unit(pcs)

3000

Epitaxial planar

Taping Code

T106

Marking

3D

●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC unless otherwise stated)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

VRM

Duty≦0.5

VR

Reverse direct voltage

40

V

40

V

Average rectified forward current

Io

Glass epoxy mounted、60Hz half sin

waveform、resistive load、per diode

30

mA

Peak forward surge current

IFSM

60Hz half sin waveform、Non-repetitive、

one cycle、per diode、Ta=25ºC

Junction temperature

Tj

-

Storage temperature

Tstg

-

　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

●Characteristics (Tj = 25ºC unless otherwise stated)

Parameter

Symbol

Conditions

Forward voltage

VF

IF=1mA

Reverse current

IR

Capacitance between terminals

Ct

VR=10V

VR=1V f=1MHz

※Caution：static electricity

0.2

A

125

℃

-40 ～ 125

℃

　　　　　　　　　　

Value per diode

Min. Typ. Max. Unit

- - 0.37 V

- - 1 μA

- 2 - pF

Attention

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

www.rohm.com

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　 2016/09/26_Rev.001

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