BC818W Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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BC818W Datasheet PDF : 2 Pages
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BC817W ... BC818W
BC817W ... BC818W
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
IC = 500 mA
hFE ~ 180/290/520
Tjmax = 150°C
VCES = 30...50 V
Ptot = 200 mW
Version 2018-09-07
SOT-323
2±0.1
0.3
3
1±0.1
Type
Code
1
2
1.3
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
1=B 2=E 3=C
Taped and reeled
Weight approx.
3000 / 7“
0.01 g
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
BC817-16W = 6A or 6CR
BC817-25W = 6B or 6CS
BC817-40W = 6C or 6CT
BC818-16W = 6E or 6CR
BC818-25W = 6F or 6CS
BC818-40W = 6G or 6CT
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC807W, BC808W
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short
VCES
B open
VCEO
C open
VEBO
Ptot
IC
Tj
TS
Grenzwerte 2)
BC817W
BC818W
50 V
30 V
45 V
25 V
5V
200 mW 3)
500 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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