KSF30A20E Просмотр технического описания (PDF) - Nihon Inter Electronics
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KSF30A20E Datasheet PDF : 4 Pages
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FRD Type：KSF30A20E
構造
：拡散型シリコンダイオード(F R D)
Construction: Diffusion-type Silicon Diode
用途
：高周波整流用
Application : High Frequency Rectification
■OUTLINE DRAWING
■最大定格 / Maximum Ratings
Approx Net Weight:6g
Rating
Symbol
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動作接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
締め付けトルク
Mounting torque
VRRM
IO
IF(RMS)
IFSM
Tjw
Tstg
KSF30A20E
200
50 Hz、正弦半波通電抵抗負荷
30 Tc=101℃
Half Sine Wave Resistive Load
47
50 Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し
400
Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive
- 40 〜 + 150
- 40 〜 + 150
推奨値
0.5
Recommended value
Unit
V
A
A
A
℃
℃
N･m
■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧 *
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
Symbol
Conditions
IRM Tj= 25 ℃, VRM= VRRM
VFM Tj= 25 ℃, IFM= 30 A
trr IFM= 10 A,
-di/dt= 50 A/μs, Ta= 25℃
接合部・ケース間
Rth(j-c)
Junction to Case
Mni. Typ. Max. Unit
-
- 25 μA
-
- 0.98 V
-
- 50 ns
-
- 1.4 ℃/W
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