1N4001-Q Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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1N4001-Q Datasheet PDF : 2 Pages
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Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current, instantenous
Sperrstrom, Augenblickswert
Junction capacitance
Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
102
[A]
1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q
Tj = 25°C
IF = 1 A
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = 4 V
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
Kennwerte
VF
< 1.1 V
IR
< 5 µA
< 50 µA
Cj
typ. 15 pF
trr
typ. 1500 ns
RthA
< 45 K/W 1)
RthL
< 15 K/W 2)
102
[A]
10
1
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10-1
IF
50a-(1a-1.1v)
10-2
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
îF
1
1
10
10 2
[n] 103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 In 3 mm distance from case
In 3 mm Abstand vom Gehäuse
2
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