LL4448 Просмотр технического описания (PDF) - Diode Semiconductor Korea
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
LL4448 Datasheet PDF : 2 Pages
| |||
Diode Semiconductor Korea
LL4448
FIG.1 -- ADMISSIBLE POWER DISSIPATION VERSUS
AMBIENT TEMPERATURE
mW
1000
900
800
700
Ptot 600
500
400
300
200
100
0
0 25
100
175
200℃
TA
FIG.2-- FORWARD CHARACTERISTICS
mA
3
10
2
10
IF
10
1
TJ =100OC
TJ =25OC
-1
10
-2
10
0
1
2V
VF
FIG.3-ADMISSIBLE REPETITIVE PEAK FORWORD CURRENT VERSUS PULSE DURATION
100
IFRM 10
1
0.1
0.2
0.3
0.1
-5
10
n=0
-3
10
I
V=tp/T
T=1/tp
tp
IFRM
T
-2
-1
10
10
1
10S
tp
www.diode.kr
Share Link: 