DTC114ECAT116_ Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
DTC114ECAT116_ Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
Transistors
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114EKA / DTC114ESA
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Limits(DTC114E )
Symbol
Unit
M
E
UA
CA
KA
SA
Supply voltage
VCC
50
V
Input voltage
VIN
−10~+40
V
IO
50
Output current
mA
IC(Max.)
100
Power dissipation
Pd
150
200
300
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
−55~+150
°C
!Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Input voltage
VI(off)
−
VI(on)
3
−
0.5
VCC=5V, IO=100µA
V
−
−
VO=0.3V, IO=10mA
Output voltage
VO(on)
−
0.1 0.3
V IO/II=10mA/0.5mA
Input current
II
−
− 0.88 mA VI=5V
Output current
IO(off)
−
−
0.5 µA VCC=50V, VI=0V
DC current gain
GI
30
−
−
− VO=5V, IO=5mA
Input resistance
R1
7
10
13
kΩ
−
Resistance ratio
R2/R1 0.8
1
1.2
−
−
Transition frequency
fT
−
250
− MHz VCE=10V, IE=−5mA, f=100MHz ∗
∗ Transition frequency of the device
!Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
VMT3
Taping
T2L
Type
Basic ordering
unit (pieces)
DTC114EM
DTC114EE
DTC114EUA
DTC114ECA
DTC114EKA
DTC114ESA
8000
−
−
−
−
−
EMT3
Taping
TL
3000
−
−
−
−
−
UMT3
Taping
T106
SST3
Taping
T116
3000
3000
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
SMT3
Taping
T146
3000
−
−
−
−
−
SPT
Taping
TP
5000
−
−
−
−
−
Share Link: 