DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

UPC258C Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
UPC258C
NEC
NEC => Renesas Technology NEC
UPC258C Datasheet PDF : 16 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next Last
µPC258,4558
μPC258C, μPC258G2, μPC4558C, μPC4558G2
電気的特性(TA = 25 ℃,V± = ±15 V)
項    目
略 号
条    件
MIN.
TYP.
MAX.
単 位
入力オフセット電圧
VIO
RS≦10 kΩ
±0.5
±6.0
mV
入力オフセット電流
入力バイアス電流
IIO
IB注7
±5
±200
nA
60
500
nA
大振幅電圧利得
AV
RL≧2 kΩ,VO = ±10 V
20000 100000
消費電力
Pd
IO = 0 A,両チャネル
90
170
mW
同相信号除去比
CMR
RS≦10 kΩ
70
90
dB
電源変動除去比
SVR
RS≦10 kΩ
30
150
μV/V
最大出力電圧
Vom
RL≧10 kΩ
±12
±14
V
最大出力電圧
Vom
RL≧2 kΩ
±10
±13
V
同相入力電圧範囲
VICM
±12
±14
V
スルーレート
SR
AV =1
1.0
V/μs
入力換算雑音電圧
Vn
RS = 1 kΩ, f = 1 Hz〜1 kHz (図1)
6
μVp-p
チャネル・セパレーション
f = 1 kHz
(図2)
105
dB
注7.入力バイアス電流の方向は,初段がPNPトランジスタで構成されておりますので,ICから流れ出す方向です。
μPC258C(5), μPC258G2(5), μPC4558C(5), μPC4558G2(5)
電気的特性(TA = 25 ℃,V± = ±15 V)
項    目
略 号
条    件
MIN.
TYP.
MAX.
単 位
入力オフセット電圧
VIO
RS≦10 kΩ
±0.5
±2
mV
入力オフセット電流
入力バイアス電流
IIO
IB注7
±5
±50
nA
60
100
nA
大振幅電圧利得
AV
RL≧2 kΩ,VO = ±10 V
50000 100000
消費電力
Pd
IO = 0 A,両チャネル
90
135
mW
同相信号除去比
CMR
RS≦10 kΩ
85
90
dB
電源変動除去比
SVR
RS≦10 kΩ
30
75
μV/V
最大出力電圧
Vom
RL≧10 kΩ
±12.5
±14
V
最大出力電圧
Vom
RL≧2 kΩ
±11
±13
V
同相入力電圧範囲
VICM
±13
±14
V
スルーレート
SR
AV =1
1.0
V/μs
入力換算雑音電圧
Vn
RS = 1 kΩ, f = 1 Hz〜1 kHz (図1)
6
μVp-p
チャネル・セパレーション
f = 1 kHz
(図2)
105
dB
注7.入力バイアス電流の方向は,初段がPNPトランジスタで構成されておりますので,ICから流れ出す方向です。
データ・シート G10518JJ9V0DS00
3

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]