EA30QS06-F Просмотр технического описания (PDF) - Nihon Inter Electronics
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EA30QS06-F Datasheet PDF : 6 Pages
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SBD Type：EA30QS06-F
■OUTLINE DRAWING
構造
：表面実装型、ショットキバリアダイオード(S B D)
Construction: Surface Mounting, Schottky Barrier Diode
用途
：高周波整流用
Application : High Frequency Rectification
■最大定格 / Maximum Ratings
Approx net Weight:0.30g
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non‑repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified
P.C.Board
mounted *
Output Current
‑
Symbol
VRRM
VRSM
IO
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動作接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
IF(RMS)
IFSM
Tjw
Tstg
EA30QS06‑F
60
Unit
V
65
V
1.3
3.0
Ta=36℃
50 Hz、正弦半波通電抵抗負荷
Half Sine Wave Resistive
Tc=123℃ Load
A
4.71
A
45
50 Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し
Half Sine Wave,1cycle,Non‑repetitive
A
‑ 40 〜 + 150
℃
‑ 40 〜 + 150
℃
■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
熱抵抗
Thermal
Resistance
接合部・周囲間
Junction to Ambient
接合部・ケース間
Junction to Case
* Print Land = 20 × 20 mm
Symbol
Conditions
IRM Tj= 25 ℃, VRM= VRRM
VFM Tj= 25 ℃, IFM= 3A
Rth(j‑a) P.C.Board mounted *
Rth(j‑c)
‑
Min. Typ. Max. Unit
‑
‑
3 mA
‑
‑ 0.58 V
‑
‑ 80 ℃/W
‑
‑
6 ℃/W
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