SPB11N60C3(2001) Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
SPB11N60C3 Datasheet PDF : 14 Pages
| |||
SPP11N60C3, SPB11N60C3
Preliminary data
SPI11N60C3
20 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
SPP11N60C3
720
V
21 Avalanche power losses
PAR = f (f )
parameter: EAR=0.6mJ
300
W
680
660
200
640
150
620
600
100
580
50
560
540
-60 -20
20
60 100 °C
180
Tj
0
10
4
10 5
MHz 10 6
f
22 Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS=0V, f=1 MHz
10 4
pF
Ciss
10 3
10 2
Coss
10 1
Crss
10 0
0
100 200 300 400
V
600
VDS
23 Typ. Coss stored energy
Eoss=f(VDS )
7.5
µJ
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
100 200 300 400 V
600
VDS
Page 10
2001-07-05
Share Link: 