1N5059(2005) Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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1N5059 Datasheet PDF : 2 Pages
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Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 2 A
VF
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM IR
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
resiThermalstance junction to terminal
RthT
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
1N5059 ... 1N5062
Kennwerte
< 1.1 V
< 5 µA
< 45 K/W 1)
< 15 K/W
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
102
[A]
10
1
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10-1
IF
10-2
50a-(2a-1.1v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
[A]
10
îF
1
1
10
10 2
[n] 103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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