SIHF9530-E3(2008) Просмотр технического описания (PDF) - Vishay Semiconductors

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

SIHF9530-E3
(Rev.:2008)

Power MOSFET

Vishay Semiconductors 

Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature

IRF9530, SiHF9530

Vishay Siliconix

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.

- 10 V

Pulse width ≤ 1 µs

Duty factor ≤ 0.1 %

+- VDD

Fig. 10a - Switching Time Test Circuit

VGS

10 %

td(on) tr

td(off) tf

90 %

VDS

Fig. 10b - Switching Time Waveforms

Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

Document Number: 91076

S-81272-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

5

Share Link: