RB420D Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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RB420D

Schottky Barrier Diode

ROHM Semiconductor 

RB420D

Schottky Barrier Diode

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VR

40

V

Io

100

mA

IFSM

1

A

●Features

High reliability

Small mold type

Low VF

●Inner Circuit

Data sheet

　　　

　

　

　

　

　

　

　

　

　　　

●Application

●Packaging Specifications

Small current rectification

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

●Structure

Taping Width(mm)

8

Basic Ordering Unit(pcs)

3000

Epitaxial planar

Taping Code

T146

Marking

D3B

●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC unless otherwise stated)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

VRM

Duty≦0.5

VR

Reverse direct voltage

40

V

40

V

Average rectified forward current

Io

Glass epoxy mounted、60Hz half sin

waveform、resistive load

100

mA

Peak forward surge current

IFSM

60Hz half sin waveform、

Non-repetitive、one cycle、Ta=25℃

Junction temperature

Tj

-

Storage temperature

Tstg

-

　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

1

A

125

℃

-40 ～ 125

℃

　　　　　　　　　　

●Characteristics (Ta = 25ºC unless otherwise stated)

Parameter

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Forward voltage

VF

IF=10mA

- - 0.45 V

Reverse current

IR

VR=10V

- - 1 μA

Capacitance between terminals

Ct

VR=10V f=1MHz

- 6 - pF

※Caution：static electricity

Attention

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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　 2016/09/26_Rev.001

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