HEC4750VF Просмотр технического описания (PDF) - Philips Electronics

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

HEC4750VF

Frequency synthesizer

Philips Electronics 

Philips Semiconductors

Frequency synthesizer

Product specification

HEF4750V

LSI

DC CHARACTERISTICS

at VDD = 10 V ± 5%; voltages are referenced to VSS = 0 V, unless otherwise specified; for definitions see note 1.

Tamb (°C

PARAMETER

SYMBOL

−40

+ 25

+ 85

UNIT NOTES

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Quiescent device

current

IDD

Input current; logic

inputs, MOD

± IIN

Output leakage current

at 1⁄2 VDD

TCA, hold-state

± IZ

TCC, analogue

switch OFF

± IZ

PC2, high impedance

OFF-state

± IZ

Logic input voltage

LOW

VIL

HIGH

VIH

Logic output voltage

LOW; at IO < 1 µA VOL

HIGH

VOH

Logic output current

LOW; at VOL = 0,5 V

outputs OL, PC2,

OUT

IOL

output XTAL

IOL

Logic output current

HIGH;

at VOH = VDD − 0,5 V

outputs OL, PC2,OUT

output XTAL

Output TCC sink

−IOH

−IOH

current

IO

Output TCC source

current

−IO

Internal resistance

of TCC

output swing

≤ 200 mV

specified output range:

0,3 VDD to 0,7 VDD Ri

−−

100 − −

100 − −

750 µA 2

−−

300 − −

300 − −

1000 nA 3

−−

20 − 0,05 20 − −

3,4

60 nA

−−

20 − 0,05 20 − −

60 nA

−−

50 − −

50 − −

500 nA

 max. 0,3 VDD  V

 max. 0,7 VDD  V

−−

50 − −

50 − −

50 mV 3

 min. VDD − 50 mV  mV 3

3

5,5 −

2,8 −

− 4,6 −

− 2,4 −

− 3,6 −

− 1,9 −

− mA

− mA

1,5 −

1,4 −

−−

−−

− 1,3 −

− 1,2 −

− − 2,1

− − 1,9

− 1,0 −

− 0,9 −

−− −

−− −

3

− mA

− mA

− mA 3,4,5

− mA 3,4,6

−−

− − 0,7 − − −

− kΩ 3,4

January 1995

9

Share Link: