BAV21 Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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BAV21 Datasheet PDF : 2 Pages
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BAV18 ... BAV21
Version 2005-08-15
Ø 1.9
Ø 0.52
Dimensions - Maße [mm]
BAV18 ... BAV21
Superfast Switching Si-Planar Diodes
Superschnelle Si-Planar-Dioden
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
500 mW
50...200 V
DO-35
(SOD-27)
0.13 g
BAV100...BAV102
Maximum ratings (TA =25°C)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
BAV18
50
BAV19
100
BAV20
150
BAV21
200
Grenzwerte (TA =25°C)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
60
120
200
250
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
Ptot
TA = 25°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
IFSM
Tj
TS
500 mW 2)
250 mA 2)
650 mA 2)
1A
5A
-50...+200°C
-50...+200°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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