2SB1260 Просмотр технического описания (PDF) - Weitron Technology

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

2SB1260

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

Weitron Technology 

2SB1260

1000

500

200

100

50

T a=25ûC

f=1 MH z

IC =0A

20

10

-0.1 -0.2

-0.5 -1 -2

-5 -10

E MITTE R TO BAS E VOLTAG E : VEB (V)

FIG. 7 Emitter Input Capacitance

vs. Emitter-Base Voltage

IC Max. (P uls e)

-2

-1 IC Max.

-0.5

T a=25ûC

* S ingle

nonrepetitive

puls e

-0.2

-0.1

-0.05

-0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100

C OLLE C TOR TO E MITTE R VOLTAG E : VCE (V)

FIG. 8 Safe Operating Area

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

Share Link: