VDD18SCTA Просмотр технического описания (PDF) - AnaSem Semiconductors

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VDD18SCTA

Low voltage, low power consumption, ± 1% high precision voltage detection Built-in delay circuit CMOS voltage detector

AnaSem Semiconductors 

Rev. C09-09

IC电路图

z CMOS式输出

VIN

低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器

VDD 系列

z N-沟道式输出

VIN

+

Voltage _

Reference

Vss

Delay

circuit

VOUT

Vss

+

Voltage _

Reference

Delay circuit

VOUT

绝对最大工作范围值

项目

符号

电压输入范围

输出电流

电压输出范围

VIN

IOUT

VOUT

功率耗散 ※1)

SOT-23

PD

SON-4

PD

工作温度范围

TOPR

储存温度范围

TSTG

注:

※1) 功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定

PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.

规格

–0.3 ~ +7.0

50

VSS –0.3 ~ VIN +0.3

400 (on PCB)

400 (on PCB)

–40 ~ +85

–55 ~ +125

单位

V

mA

V

mW

mW

°C

°C

AnaSem Inc.

4

.......... Future of the analog world

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