Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
TPC8120 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
TPC8120
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
Toshiba
TPC8120 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
−
10
−
6
−
4.5
−
20
−
3
I
D
– V
DS
−
2.6
−
2.5
−
2.4
−
16
−
12
−
2.3
−
2.2
−
8
VGS
= −
2.1 V
−
4
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1
Drain-source voltage V
DS
(V)
TPC8120
−
6
−
4.5
I
D
– V
DS
−
70
−
10
−
3
−
2.8
−
2.6
−
60
−
3.5
−
50
−
40
−
2.5
−
2.4
−
30
−
2.3
−
20
−
10
0
0
VGS
= −
2.2 V
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
0.5
−
1.0
−
1.5
−
2
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
80
Common source
VDS
= −
10 V
−
64
Pulse test
I
D
– V
GS
−
48
−
32
−
16
0
0
100
Ta
= −
55°C
25
−
1
−
2
−
3
−
4
Gate-source voltage V
GS
(V)
−
0.5
−
0.4
−
0.3
−
0.2
−
0.1
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
4.5
−
9
ID
= −
18 A
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage V
GS
(V)
1000
100
10
1
0.1
−
0.1
|Y
fs
| – I
D
Ta
= −
55°C
100
25
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
1
−
10
Drain current I
D
(A)
−
100
100
10
1
0.1
−
0.1
4
R
DS (ON)
– I
D
−
4.5
VGS
= −
10 V
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
2009-07-27
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]