RF101L2S_(2011) Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
RF101L2S_ Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
RF101L2S
Data Sheet
3
2
DC
3
0A
Io
V
0V
tt
VR
D=t/
D=t/T
T VR=100V
T Tj=150℃
2
DC
30
0A0
Io
0V0
t
t
VR
25
T
D=t/T
VR=100V
T Tj=150℃
20
D=1/2
15
D=1/2
1
1
10
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
5
0
0 25 50 75 100 125 150
0
0
25 50 75 100 125 150
0
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
No break at 30kV
AVE:13.6kV
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/3
2011.05 - Rev.B
Share Link: 