RF101L4S Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
RF101L4S Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
Diodes
RF101L4S
2
D=1/2
1
0A
Io
0V
t
VR
D=t/T
VR=200V
T Tj=150℃
DC
Sin(θ＝180)
0
0 25 50 75 100 125 150
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Ta)
3
30
0A
Io
0V
t
VR
25
D=t/T
VR=200V
2
T Tj=150℃
20
15
1
10
5
0
0
0
25 50 75 100 125 150
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curveﾞ(Io-Tc)
AVE：16.3kV
AVE：4.60kV
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD DISPERSION MAP
3/3
Share Link: 