NTE2650 Просмотр технического описания (PDF) - NTE Electronics

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NTE2650

Silicon Complementary Transistors Darlington

NTE Electronics 

NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130W

Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Electrical Characteritics: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Collector Cutoff Current

ICBO VCB = 200V, IE = 0

Emitter Cutoff Current

IEBO VEB = 5V, IC = 0

Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 30mA

DC Current Gain

hFE VCE = 4V, IC = 10A

Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 10mA

Base−Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) IC = 10A, IB = 10mA

Transition Frequency

fT

VCE = 12V, IE = 2A

Collector Output Capacitance

Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz

Min Typ Max Unit

−

− 100 µA

−

− 100 µA

200 −

−

V

5000 −

−

−

− 2.5 V

−

− 3.0 V

− 70 − MHz

− 120 − pF

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