MGF4953B(2011) Просмотр технического описания (PDF) - MITSUBISHI ELECTRIC
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
MGF4953B Datasheet PDF : 6 Pages
| |||
< Low Noise GaAs HEMT >
MGF4953B
Leadless ceramic package
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)
ID vs. VDS
50
Ta=25℃
V GS=-0.1V /STEP
40
30
20
10
0
0
1
2
3
DRAINDrTaiOn tSo OSoUuRrcCe vEolVtaOgeLTVADGS(EV) VDS (V)
ID VS. VGS
50
Ta=25℃
V DS=2V
40
30
20
10
0
-1.00
-0.50
0.00
GATGEatTeOtoSSOouUrcReCvoEltaVgOe LVTGAS(GVE) VGS (V)
NF & Gs VS. ID
1.3
13
Ta=25℃
1.2 V DS=2V
12
1.1 f =20GHz
11
Gs
1.0
10
0.9
9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0
8
7
NF
6
5
4
5
10
15
20
ドレイン電流 ID (mA )
DRAIN CURRENT ID (mA)
Publication Date : Apr., 2011
3
Share Link: 