HN1B04F Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

HN1B04F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

Toshiba 

(Q1, Q2 Common)

PC* – Ta

500

400

300

200

100

0

0

25

50

75 100 125 150 175

AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)

*Total Rating.

HN1B04F

5

2014-03-01

Share Link: