BUZ382 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

BUZ382

SIPMOS® Power Transistor

Siemens AG 

BUZ 382

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS = ƒ(Tj)

480

V

460

V(BR)DSS

450

440

430

420

410

400

390

380

370

360

-60

-20

20

60

100 °C 160

Tj

Typ. gate charge

VGS = ƒ(QGate)

parameter: ID puls = 17 A

16

V

VGS

12

10

0,2

V

DS

max

0,8

V

DS

max

8

6

4

2

0

0 20 40 60 80 100 120 140 160 nC 190

QGate

Semiconductor Group

8

07/96

Share Link: