Q67000-S073(2003) Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
Q67000-S073 Datasheet PDF : 9 Pages
| |||
9 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=0.025 A; V GS=0 V
40
10 Typ. gate threshold voltage
V GS(th)=f(T j); V DS=3 V; I D=108 µA
parameter: I D
0
BSP129
30
98 %
20
-0.5
-1
98 %
typ
-1.5
10
typ
-2
2%
-2.5
0
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
-3
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. Capacitances
C =f(V DS); V GS=-3 V; f =1 MHz
1000
12 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
10
100
1
Ciss
10
Coss
0.1
Crss
1
0
Rev. 1.0
5
10
15
20
25
30
V DS [V]
0.01
0
page 6
150 °C
25 °C
150 °C, 98 %
25 °C, 98 %
0.5
1
V SD [V]
1.5
2003-03-28
Share Link: 