DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

BC856BW-AQ(2019) Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
BC856BW-AQ
(Rev.:2019)
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  Diotec
BC856BW-AQ Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
BC856AW ... BC859CW
BC856AW ... BC859CW
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC = 100 mA
hFE = 180/290/520
Tjmax = 150°C
VCEO = 30...65 V
Ptot = 200 mW
Version 2019-01-11
SOT-323
2±0.1
0.3
3
1±0.1
Type
Code
1
2
1.3
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
1=B 2=E 3=C
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BC856AW = 3A
BC857AW = 3E
BC858AW = 3E
Type
Code
BC856BW/-AQ = 3B
BC857BW = 3F
BC858BW = 3F
BC859BW = 3F
BC857CW = 3G
BC858CW = 3G
BC859CW = 3G
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC846W ... BC849W
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
DC
Grenzwerte 2)
BC856W/
-AQ
BC857W
BC858W
BC859W
VCEO
65 V
45 V
30 V
VCBO
80 V
50 V
30 V
VEBO
Ptot
5V
200 mW 3)
IC
100 mA
ICM
200 mA
- IBM
200 mA
IEM
200 mA
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]