BA5901K Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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производитель

BA5901K

4ch driver + power controller

ROHM Semiconductor 

光ディスク IC

BA5901K

Parameter

Symbol

〈インターフェース部〉

OFF端子

スレッショルド電圧

VOFTH

OFF端子バイアス電流

START端子

オンスレッショルド電圧

START端子

オフスレッショルド電圧

START端子

バイアス電流

CLK端子

スレッショルド電圧 H

CLK端子

スレッショルド電圧 L

IOFF

VSTATH1

VSTATH2

ISTART

VCLKTHH

VCLKTHL

CLK端子バイアス電流

ICLK

〈スタータ回路部〉

スタータ

切り換え電圧

VSTNM

スタータ

切り換えヒス幅

VSNHS

ディスチャージ

解除電圧

VDIS

〔エンプティ検出部〕

エンプティ検出電圧1

VEMPT1

エンプティ検出電圧2

エンプティ検出

ヒステリシス1

エンプティ検出

ヒステリシス2

VEMPT2

VEMHS1

VEMHS2

EMP端子出力電圧

VEMP

EMP端子

出力リーク電流

IEMPL

BSEN端子入力抵抗

RBSEN

BSEN端子リーク電流

IBSENL

SEL端子検出電圧

VSELTH

SEL端子検出電流

ISELT

◎耐放射線設計はしておりません。

Min.

―

75

―

BATT

−0.3

13

2.0

―

―

2.3

130

1.63

2.1

1.7

25

25

―

―

17

―

1.5

−2

Typ. Max.

―

VSYS1

−2.0

95

115

―

BATT

−1.0

―

―

16

19

―

―

―

0.8

―

10

2.5

200

1.83

2.7

300

2.03

2.2

2.3

1.8

1.9

50

100

50

100

―

0.5

―

1.0

23

27

―

1.0

―

―

―

―

Unit

Conditions

Test circuit No.

V EI＝1.3V

μA OFF＝0V

V VSYS1＝VSYS2＝0V，CT＝2V

V VSYS1＝VSYS2＝0V，CT＝2V

μA START＝0V

V

V

μA CLK＝3.2V

V

VSYS1＝VSYS2＝0V→3.2V,

START＝0V

mV START＝0V

V

Fig.1 50

Fig.1 51

Fig.1 52

Fig.1 53

Fig.1 54

Fig.3 55

Fig.3 56

Fig.1 57

Fig.1 58

Fig.1 59

Fig.1 60

V VSEL＝0V

V ISEL＝−2μA

mV VSEL＝0V

mV ISEL＝−2μA

V IO＝1mA，BSEN＝1V

μA BSEN＝2.4V

kΩ VSEL＝0V

μA VSYS1＝VSYS2＝0V，BSEN＝4.5V

V

VSELTH＝BATT−SEL，BSEN＝2V

μA

Fig.3 61

Fig.3 62

Fig.3 63

Fig.3 64

Fig.3 65

Fig.3 66

Fig.3 67

Fig.3 68

Fig.3 69

Fig.3 70

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