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BA5901K Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor
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производитель
BA5901K
4ch driver + power controller
ROHM Semiconductor
BA5901K Datasheet PDF : 24 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
光ディスク
IC
BA5901K
Parameter
〔PWM電源駆動部〕
PSWシンク電流
HV
CC
レベルシフト電圧
Symbol
I
PSW
V
SHIF
HV
CC
リーク電流
I
HLK
PWMアンプ伝達ゲイン
G
PWM
〔DC / DCコンバータ部〕
〈エラーアンプ部〉
VSYS1端子
スレッショルド電圧
V
SITH
EO端子出力電圧 H
V
EOH
EO端子出力電圧 L
V
EOL
〈ショートプロテクト部〉
SPRT端子電圧通常
V
SPR
SPRT端子電流1、
EO=H
I
SPR1
SPRT端子電流2、
OFF=L
I
SPR2
SPRT端子電流3、
過電
I
SPR3
SPRT端子
インピーダンス
R
SPR
SPRT端子
スレッショルド電圧
V
SPTH
過電圧保護検出電圧
V
HVPR
〈トランジスタ駆動部〉
SW端子出力電圧1 H
V
SW1H
SW端子出力電圧2 H
V
SW2H
SW端子出力電圧2 L
V
SW2L
SW端子発振周波数1
f
SW1
SW端子発振周波数2
f
SW2
SW端子発振周波数3
f
SW3
SW端子最小パルス幅
起動時パルス
デューティ
自走時最大
デューティ
CLK同期時最大
デューティ
T
SWMIN
D
SW1
D
SW2
D
SW3
〈デッドタイム部〉
DEAD端子
インピーダンス
R
DEAD
DEAD端子出力電圧
V
DEAD
◎耐放射線設計はしておりません。
Min.
10
0.35
―
1/60
3.05
1.4
―
―
6
12
12
175
1.10
8.0
0.78
1.0
―
65
60
―
0.01
40
70
65
52
0.78
Typ.
13
0.45
0
1/50
3.20
1.6
―
0
10
20
20
220
1.20
8.4
0.98
1.50
0.3
80
70
88.2
―
50
80
75
65
0.88
Max. Unit
Conditions
Test circuit No.
17
0.55
5
1/40
mA
V
μA
1/kΩ
IN1=2.1V
IN1=1.8V,HV
CC
−OUT1F
HV
CC
=9V,
VSYS1=VSYS2=BATT=0V
IN1=1.8V,HV
CC
=1.2V〜1.4V
Fig.2 24
Fig.2 25
Fig.2 26
Fig.2 27
3.35
―
0.3
V
V EI=0.7V,I
O
=−100μA
V EI=1.3V,I
O
=100μA
Fig.1 28
Fig.1 29
Fig.1 30
0.1
16
32
32
265
1.30
9.0
V EI=1.3V
μA EI=0.7V
μA EI=1.3V,OFF=0V
μA EI=1.3V,BATT=9.5V
kΩ
V EI=0.7V,CT=0V
V BSEN端子電圧
Fig.1 31
Fig.1 32
Fig.1 33
Fig.1 34
Fig.1 35
Fig.1 36
Fig.1 37
1.13
―
0.45
95
82
―
0.6
60
90
85
BATT=C
T
=1.5V
V VSYS1=VSYS2=0V
I
O
=−2mA,スタータ時
V
C
T
=0V,I
O
=−10mA
EI=0.7V,SPRT=0V
Fig.1 38
Fig.1 39
V
C
T
=2V,I
O
=10mA
Fig.1 40
kHz
C
T
=470pF,
VSYS1=VSYS2=0V,スタータ時
Fig.3 41
kHz C
T
=470pF,CLK=0V
Fig.3 42
kHz C
T
=470pF
Fig.3 43
μs C
T
=470pF,EO=0.5→0.7Vスイープ Fig.3 44
% C
T
=470pF,VSYS1=VSYS2=0V
Fig.3 45
% EI=0.7V,C
T
=470pF,CLK=0V
Fig.3 46
% EI=0.7V,C
T
=470pF
Fig.3 47
78
kΩ
0.98
V
Fig.1 48
Fig.1 49
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