NEL200101-24 Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

NEL200101-24

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier

NEC => Renesas Technology 

NEL200101-24 Zin/Zout

4 3 21

Zin

NENT

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1: 1.8 GHz

2: 1.9

3: 1.97

4: 2.0

0.1

0.2

RESISTANCE COMPONENT

R

 Zo

0.2

0.4

0.6

0.8

0.3

0.41

2

Zout

3

4

ZO = 50 ohm

f [GHz]

1.80

1.90

1.97

2.00

Zin [ohm]

8.7 + j38

6.3 + j36

5.4 + j33

4.7 + j30

Zout [ohm]

2.2 – j19

4.1 – j24

6.4 – j30

10 – j37

Zout

Zin

6

NEL200101-24

3.0

4.0

5.0

10

20

50

Share Link: