NEL2012F02-24 Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

NEL2012F02-24

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L BAND POWER AMPLIFIER

NEC => Renesas Technology 

NEL2012F03-24

40 mm

Circuit Drawing

40 mm

Through

5

Hole

1 1 mmφ × 4

1

1

1

1

8

8

5 11 5

22

2

22

6.6

4.2

13

0.5

0.5

1

121 6

6

18.2

1

7.4

18.2

Input

NEL2012F03-24

Output

SUBSTRATE (TEFLON)

DICLAD522T®

THICKNESS = 0.79 mm

DOUBLE SIDE 35 Pm Cu

Hr = 2. 6

9

Share Link: