AS5SS256K18 Просмотр технического описания (PDF) - Austin Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
AS5SS256K18 Datasheet PDF : 13 Pages
| |||
Austin Semiconductor, Inc.
SSRAM
AS5SS256K18
t READ/WRITE TIMING6
KC
tKL
CLK
ADSP\ 111111222222333333444444555555
tADSS
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
t1111111K2222222H3333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
ADSC\ 111111222222333333444444555555
111111222222333333444444555555666666
tA11111112222222D3333333S4444444H55555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
111111222222333333444444555555666666
11111112222222333333344444445555555
111111122222223333333444444455555556666666
ADDRESS
A1 A2 111111222222333333 tAS
111111222222333333444444111111555555222222666666333333777777444444888888555555666666777777888888
A3
111111222222333333444444555555111111666666222222777777333333888888444444555555666666777777888888
A4
111111222222333333444444111111555555222222666666333333777777444444888888555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222111111222222333333111111444444555555666666777777888888
A5
A6 111111222222333333
BWE\, GW\
BWa\ - BWb\
CE\
(Note 2)
t
111111222222333333444444555555111111122222223333333444444455555556666666A77777778888888H9911111199999222222333333444444555555
t
111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555 WS
111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333
111111222222333333444444555555666666
1111111122222222333333334444444455555555t66666666CES
1111111222222233333334444444555555511111112222222333333344444445555555666666677777778888888991111111999992222222333333344444445555555
t
11111122222233333344444455555511111112222222333333344444445555555W66666667777777H88888889911111199999222222333333444444
1111111222222233333334444444555555511111112222222333333344444445555555666666677777778888888999999900000001111111222222233333334444444555555566666667777777888888899999990000000111111122222223333333444444455555556666666777777788888889999999000000011111112222222111111122222223333333444444455555556666666777777788888881111111222222233333334444444
111111112222222233333333444444445555555566666666
1111111122222222333333334444444455555555
111111112222222233333333444444445555555566666666
111111112222222233333333444444445555555566666666
ADV\ 111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555666666777777888888t999999C000000E111111222222H333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111111111222222223333332222111111444444222222555555666666
111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555666666777777888888
111111222222333333444444555555666666777777888888999999000000111111222222333333444444555555666666777777
111111122222223333333444444455555556666666
111111122222223333333444444455555556666666
OE\
tDS tDH
D
High-Z
t
Q
1111222233334444 Q(A1) 111122223333
OEHZ
Q(A2)
D(A3)
tOELZ
1111tKQQ(A4) 111222(NQO(AT4+E1)1)111222 Q(A4+2) 111222 Q(A4+3)
D(A5)
D(A6)
Back-to-Back READS
(NOTE 5)
SINGLE WRITE
READ/WRITE PARAMETERS
-8
-9
-10
SYM MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tKC
8.8
10
15
ns
tKF
113
100
66 MHz
tKH
2.5
3.0
4.0
ns
tKL
2.5
3.0
4.0
ns
tKQ
7.5
8.5
10 ns
tOELZ 0
0
0
ns
tOEHZ
3.5
4.2
5.0 ns
tAS
1.5
1.8
2.0
ns
tADSS 1.5
1.8
2.0
ns
BURST READ
Back-to-Back
WRITE’s
111112222233333444445555566666Don’t Care 1111122222333334444455555 Undefined
SYM
tWS
tDS
tCES
tAH
tADSH
tWH
tDH
tCEH
-8
-9
-10
MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
1.5
1.8
2.0
ns
1.5
1.8
2.0
ns
1.5
1.8
2.0
ns
0.5
0.5
0.5
ns
0.5
0.5
0.5
ns
0.5
0.5
0.5
ns
0.5
0.5
0.5
ns
0.5
0.5
0.5
ns
NOTE: 1. Q(A4) refers to output from address A4. Q(A4+1) refers to output from the next internal burst address following A4.
2. CE2\ and CE2 have timing identical to CE\. On this diagram, when CE\ is LOW, CE2\ is LOW and CE2 is HIGH. When CE\ is HIGH, CE2\ is HIGH and CE2 is LOW.
3. The data bus (Q) remains in High-Z following a WRITE cycle unless an ADSP\, ADSC\, or ADV\ cycle is performed.
4. GW\ is HIGH.
5. Back-to-back READs may be controlled by either ADSP\ or ADSC\.
6. Timing is shown assuming that the device was not enabled before entering into this sequence.
AS5SS256K18
Rev. 2.1 06/05
11
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
Share Link: 