2SK3418 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics
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2SK3418 Datasheet PDF : 9 Pages
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160
120
80
40
0
許容チャネル損失の
ケース温度による変化
50
100
150
200
ケース温度 Tc (℃)
2SK3418
1000
安全動作領域
300
10 µs
100
30
10
3
こR DのS範(on囲) のの動値作にPDWはよC=(OっT1pc0eて=rma2tsi5o(n℃11 sm)hso1t0) 0 µs
制限されます
1
0.3
0.1 Ta = 25 ℃
0.1 0.3 1 3 10 30 100
ドレイン・ソース電圧 V DS (V)
ソース接地出力静特性
100
VGS = 10 V
パルス測定
5V
80
4V
60
40
3V
20
2.5 V
0
2
4
6
8
10
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
ソース接地伝達静特性
100
V DS = 10 V
80 パルス測定
60
40
25 ℃
20
75 ℃
Tc = –25 ℃
0
1
2
3
4
5
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
3
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