Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SK3418 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
2SK3418
Silicon N-channel MOS FET High-speed power switching
Hitachi -> Renesas Electronics
2SK3418 Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2SK3418
絶対最大定格
項目
記号
ドレイン
·
ソース電圧
ゲート
·
ソース電圧
ドレイン電流
せん頭ドレイン電流
逆ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
許容チャネル損失
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
(pulse)
注
1
I
DR
I
AP
注
3
E
AR
注
3
Pch
注
2
チャネル温度
Tch
保存温度
Tstg
注)
1. PW
≦
10
µ
s, duty cycle
≦
1%
での許容値
2. Tc = 25
℃における許容値
3. Tch = 25
℃における許容値
Rg
≧
50
Ω
定格値
60
±
20
85
340
85
60
308
110
150
–55
〜
+150
(Ta=25
℃
)
単位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
℃
℃
項目
ドレイン
·
ソース破壊電圧
ドレイン遮断電流
ゲート遮断電流
ゲート
·
ソース遮断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン
·
ソースオン抵抗
ドレイン
·
ソースオン抵抗
入力容量
出力容量
逆伝達容量
トータルゲートチャージ量
ゲート・ソースチャージ量
ゲート・ドレイン(ミラー)
チャージ量
ターン
·
オン遅延時間
上昇時間
ターン
·
オフ遅延時間
下降時間
ダイオード順電圧
逆回復時間
記号
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
|y
fs
|
R
DS(on)
R
DS(on)
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
V
DF
trr
注
) 1.
パルス測定
電気的特性
Min
Typ
Max
60
―
—
—
―
10
—
―
±
0.1
1.0
―
2.5
55
90
—
—
4.3
5.5
—
6.0
9.0
—
9770
―
—
1340
―
—
470
―
—
180
—
—
32
—
—
36
—
—
53
―
—
320
—
—
700
―
—
380
—
—
1.0
—
—
70
—
単位
V
µ
A
µ
A
V
S
m
Ω
m
Ω
pF
pF
pF
nc
nc
nc
(Ta=25
℃
)
測定条件
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
V
DS
= 60V, V
GS
= 0
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
注
1
I
D
= 45A, V
DS
= 10V
注
1
I
D
= 45A, V
GS
= 10V
注
1
I
D
= 45A, V
GS
=4V
注
1
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
V
DD
= 50V
V
GS
= 10V
I
D
= 85A
ns
V
GS
= 10V
ns
I
D
= 45A
ns
R
L
= 0.67
Ω
ns
V
I
F
= 85A, V
GS
= 0
ns
I
F
= 85A, V
GS
= 0
diF/dt = 50A/
µ
s
2
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]