K1697 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

K1697

Silicon N-Channel MOS FET

Renesas Electronics 

2SK1697

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

1.0

Pulse Test

0.8

0.6

0.4

10 V

0.2 5 V

VGS = 0, –5 V

0

0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

Source to Drain Voltage VSD (V)

Rev.2.00 May 11, 2006 page 5 of 6

Share Link: