2SJ645 Просмотр технического описания (PDF) - SANYO -> Panasonic
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2SJ645
SANYO -> Panasonic
2SJ645 Datasheet PDF : 2 Pages
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注文コード No. N 0 0 0 0
2SJ645
暫定規格
No. N 0 0 0 0
00000
2SJ645
特長 ・低オン抵抗。
・2.5V 駆動。
新
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
許容損失
PD
Tc=25℃
チャネル温度
Tch
保存周囲温度
Tstg
unit
− 20 V
± 10 V
−8 A
− 32 A
1W
20 W
150 ℃
− 55 〜＋ 150 ℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 20V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 4A
min
− 20
− 0.4
5.6
typ
max unit
V
− 1 µA
± 10 µA
− 1.4 V
8
S
次ページへ続く。
外形図 2083B
(unit : mm)
6.5
5.0
4
2.3
0.5
外形図 2092B
(unit : mm)
6.5
5.0
4
2.3
0.5
0.85
0.7
0.6
12 3
2.3
2.3
1.2
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
0.85
12
3
0.6
2.3
2.3
0.5
1.2
0〜0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
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HD 020610 ◎圓井 No.0000-1/2
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