Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SB968 Просмотр технического описания (PDF) - Panasonic Corporation
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
2SB968
Silicon PNP epitaxial planar type
Panasonic Corporation
2SB968 Datasheet PDF : 4 Pages
1
2
3
4
2SB0968
P
C
T
a
16
T
C
=Ta
12
8
4
0
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
−
4.0
−
3.5
−
3.0
−
2.5
−
2.0
−
1.5
−
1.0
−
0.5
I
C
V
CE
T
C
=25˚C
I
B
=–40mA
–35mA
–30mA
–25mA
–20mA
–15mA
–10mA
–5mA
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
V
CE(sat)
I
C
I
C
/I
B
=10
−
10
−
1
−
0.1
25˚C
T
C
=100˚C
–25˚C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
V
BE(sat)
I
C
I
C
/I
B
=10
−
10
1 000
−
1
T
C
=–25˚C
100
100˚C
25˚C
−
0.1
10
h
FE
I
C
V
CE
=–5V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
1
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
f
T
I
E
240
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25˚C
200
160
120
80
40
0
10
10
2
10
3
10
4
Emitter current I
E
(mA)
C
ob
V
CB
140
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
120
100
80
60
40
20
0
−
1
−
10
−
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
V
CER
R
BE
−
120
T
C
=25˚C
−
100
−
80
−
60
−
40
−
20
0
0.001 0.01
0.1
1
10
Base-emitter resistance R
BE
(k
Ω
)
1 000
I
CEO
T
a
V
CE
=–12V
100
10
1
0 20 40 60 80 100 120
Ambient temperature T
a
(
°
C)
2
SJD00035AED
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]