Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SJ610 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
2SJ610
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (π-MOSV)
Toshiba
2SJ610 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
−
2
Common source
Tc
=
25°C, pulse test
I
D
– V
DS
−
1.5
−
8
−
6
−
10
−
15
−
5
−
5.5
−
4.5
−
1
VGS
= −
4 V
−
0.5
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
Drain-source voltage V
DS
(V)
2SJ610
I
D
– V
DS
−
4
Common source
Tc
=
25°C, pulse test
−
6
−
5.5
−
15
−
8
−
10
−
3
−
5
−
2
−
4.5
−
1
VGS
= −
4 V
0
0
−
5
−
10
−
15
−
20
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
4
Common source
V
DS
= −
10 V
Pulse test
−
3
I
D
– V
GS
−
2
25
−
1
Tc
= −
55°C
100
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
Gate-source voltage V
GS
(V)
−
10
−
8
−
6
−
4
−
2
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
−
2
ID
= −
1 A
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Gate-source voltage V
GS
(V)
10
Common source
V
DS
= −
10 V
5
Pulse test
⎪
Y
fs
⎪
– I
D
3
Tc
= −
55°C
25
100
1
0.5
0.3
0.1
−
0.1
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
5
−
10
Drain current I
D
(A)
10
Common source
Tc
=
25°C
5
V
GS
=
10 V
Pulse test
3
R
DS (ON)
−
I
D
1
0.5
0.3
0.1
−
0.01
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Drain current I
D
(A)
3
2010-02-05
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]