SPA11N65C3 Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
SPA11N65C3 Datasheet PDF : 15 Pages
| |||
SPP11N65C3,SPA11N65C3
SPI11N65C3
21 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
785
V
745
22 Avalanche power losses
PAR = f (f )
parameter: EAR=0.6mJ
300
W
725
200
705
685
150
665
100
645
625
50
605
585
-60 -20
20
60 100 °C
180
Tj
0
10
4
10 5
Hz
10 6
f
23 Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS=0V, f=1 MHz
10 4
pF
Ciss
10 3
10 2
10 1
Crss
Coss
10 0
0
100 200 300 400
Rev. 2.91
24 Typ. Coss stored energy
Eoss=f(V DS)
7.5
µJ
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V
600
0
VDS
Page 10
100 200 300 400
V
600
VDS
2009-11-30
Share Link: 