R6015FNX Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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R6015FNX

Nch 600V 15A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6015FNX

　　　　　　

　　　　　　　　

Datasheet

lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min. Typ. Max.

Continuous forward

current

Pulse forward current

Forward voltage

IS*1

-

TC = 25℃

ISP*2

-

VSD*6 VGS = 0V, IS = 15A

-

-

15

A

-

-

for60

A

1.5 V

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

d Peak reverse recovery current

e Peak rate of fall of reverse

recovery current

trr*6

Qrr*6

Irrm*6

dirr/dt

IS = 15A

di/dt = 100A/μs

Tj = 25℃

-

90

-

ns

- 0.44 -

μC

- 10.4 -

A

- 1000 - A/μs

mendigns lTypical transient thermal characteristics

Symbol

Value

Unit

s Rth1

0.117

m e Rth2

0.662

K/W

Not RecNoew D Rth3

2.14

Symbol

Cth1

Cth2

Cth3

Value

0.00318

0.0429

0.507

　　　　　

Unit

Ws/K

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20160324 - Rev.003

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