C16P40FR Просмотр технического описания (PDF) - Nihon Inter Electronics
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C16P40FR Datasheet PDF : 4 Pages
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FRD Type：C16P40FR
構造
：拡散型シリコンダイオード(F R D)
Construction: Diffusion‑type Silicon Diode
用途
：高周波整流用
Application : High Frequency Rectification
■OUTLINE DRAWING
■最大定格 / Maximum Ratings
Approx Net Weight:5.55g
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non‑repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動作接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
締め付けトルク
Mounting torque
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IF(RMS)
IFSM
Tjw
Tstg
C16P40FR
400
440
16
Tc=109℃
50 Hz、正弦全波通電抵抗負荷
Full Sine Wave Resistive Load
18
120
50 Hz 正弦全波, 1サイクル, 非くり返し
Full Sine Wave,1cycle,Non‑repetitive
‑ 40 〜 + 150
‑ 40 〜 + 150
0.5
推奨値
Recommended value
Unit
V
V
A
A
A
℃
℃
N･m
■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
Symbol
Conditions
IRM Tj=25℃,VRM=VRRM per Arm
VFM Tj=25℃, IFM=8A per Arm
trr
IFM= 8 A,
‑di/dt= 50 A/μs, Ta= 25℃
Rth(j‑c)
接合部・ケース間
Junction to Case
Min. Typ. Max. Unit
‑
‑ 30 μA
‑
‑ 1.25 V
‑
‑ 45 ns
‑
‑
2 ℃/W
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