DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

SD6834 Просмотр технического описания (PDF) - Silan Microelectronics

Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
SD6834 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
SD6834 说明书
限峰值电流一致。输入的交流电压越高,峰值电流补偿越大;轻负载时,峰值电流补偿消失。打嗝模式没有
峰值电流补偿。
为减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和,上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平
衡。达到平衡的时间随负载而定。
5. 打嗝模式
该方式可以有效地降低待机功耗。当 FB 大于 0.5V,正常工作;当 0.35V<FB <0.5V 时有两种情况,一
种情况是,FB 电压由低到高,此时与低于 0.35V 情况一样,开关不动作。另一种情况是,FB 电压由高到
低,为减小开关损耗,避免开关导通时间过短,此时调高电流比较器的比较点,增加导通时间。打嗝模式
下,开关频率降低至 25KHz
在打嗝模式下,开关调节情况如下:轻载时,FB 电压在约 0.5V 以下。当 FB 电压由高到低变化时,由
于电流比较器的比较点较高,输出功率较大,输出电压升高(升高的快慢取决于负载的大小),使得 FB
降,直至 FB 电压低于 0.35V;当 FB<0.35V,开关不动作,输出电平下降(下降的快慢取决于负载的大
小),使得 FB 升高。当负载较轻时,以上动作重复变化,输出间断脉冲,减少了开关次数,实现了较低的
功耗。
6. 前沿消隐
在本电流控制环路中,当开关导通瞬间会有脉冲峰值电流,如果此时采样电流值,会产生错误触发动
作, 前沿消隐用于消除这种动作。在开关导通之后的一段时间内,采用前沿消隐消除这种误动作。在电路有
输出驱动以后,PWM 比较器的输出要经过一个前沿消隐时间才能去控制关断输出。
7. 过压保护
VCC上的电压超过过压保护点电压时,表示负载上发生了过压,此时关断输出。该状态一直保持,直
到电路发生上电重启。
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.1 2012.04. 11
共9页 第6页

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]