CR5223 Просмотр технического описания (PDF) - Unspecified
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CR5223 Datasheet PDF : 21 Pages
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CR522X 应用指导书
图 1.4 FB 端电压对应系统工作状态
1.3V~1.4V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的 FB 端电压；1.4V~1.8V 为系统在中等或轻载负
载时频率调制模式下的 FB 端电压；1.8V~3.7V 为系统在重载下的 FB 端电压；3.7V~4.8V 为系统开环，过
功率保护，短路保护时 FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为 0.9mA。
当 VFB 大于 3.7V 并持续 50ms 的时间，关闭开关管，状态被保持。此时芯片 VDD 电压必须降低到 VDD_OFF
后，再启动才能恢复正常。当 VFB 小于 1.3V 时，仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR522X 采用电流模式 PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻 Rsense 转化为电压反馈到
Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，容易导致错误的控制。内置
的前沿消隐（LEB）电路，就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后，经过一段前沿消隐时间（典
型 250ns）才去采样原边峰值电流。由于变压器工艺及外围器件品质等因素，不排除有超过 LEB 屏蔽时间
的巨大 Spike，此时应在 Rsense 电阻上并联一个 Csense 电容予以滤除。该电容取值范围应不超过 100nF，
保证滤除 Spike 并尽可能的小。
正常工作时，PWM 占空比由 Sense 端电压和 FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小
输出纹波电压。
8.驱动
CR522X 内置的功率 MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给 MOSFET 驱动能力差时会
导致高的开关损耗；驱动能力强，EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和 EMI 特性，
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