BZW04-111B Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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BZW04-111B
Diotec Semiconductor Germany
BZW04-111B Datasheet PDF : 3 Pages
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BZW04-5V8 ... BZW04-376B
120
[%]
100
80
60
40
20
PM(AV)
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Steady state power dissip. vs. ambient temperature1)
1 Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp.1)
tr = 10 µs
100
[%]
80
60
40
IPP
20
PPP
0
0
PPPM/2
IPPM/2
tP
1
2
3
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
[ms] 4
102
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs tP 1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
©
http://www.diotec.com/
3
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