NTE38 Просмотр технического описания (PDF) - NTE Electronics
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NTE38 Datasheet PDF : 3 Pages
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NTE38 (PNP) & NTE175 (NPN)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage, Medium Power Switch
Description:
The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) complementary silicon transistors are designed for high–
speed switching and linear amplifier applications for high–voltage operational amplifiers, switching
regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.
Features:
D Collector–Emitter Sustaining Voltage:
NTE38: VCEO(sus) = 350V @ IC = 200mA
NTE175: VCEO(sus) = 300V @ IC = 200mA
D Second Breakdown Collector Current:
NTE38 IS/b = 875mA @ VCE = 40V
NTE175 IS/b = 350mA @ VCE = 100V
D Usable DC Current Gain to 2.0Adc
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO
NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Base Voltage, VCB
NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6Vdc
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Junction Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction to Case, RΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5°C/W
Note 1. Pulse Test (NTE175 Only): Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.
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