TGF4112-EPU Просмотр технического описания (PDF) - TriQuint Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
TGF4112-EPU Datasheet PDF : 9 Pages
| |||
DC Characteristics for the TGF4112-EPU
IDSS
GM
VP
BVGS
BVGD
DC probe Parameters
Drain Saturation Current
Transconductance
Pinch Off Voltage
Breakdown Voltage Gate-Source
Breakdown Voltage Gate-Drain
Nominal Unit
2940
mA
1980
mS
-1.85
V
-22
V
-22
V
Example of DC I-V Curves
Vg = 0.0 V to -2.75 V in 0.25 steps TA = 25°C
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
D ra in V o lta g e (V )
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-source Voltage, Vds..............................… … … … … … … … … … … … … … … … ..........12 V
Gate-to-source Voltage, Vgs..................… … … … … … … … … … … … … … … … .............-5 V to 0 V
Mounting Temperature.................… … … … … … … … … … … … … … … .… .........… … … … … … 320°C
Storage Temperature.....................… … … … … … … … … … … … … … .… .............… -65°C to 200°C
Power Dissipation...........… … … … … .… … … … … … … … … … … … … … … ...refer to Thermal Model
Operating Channel Temperature… … … … … … … … … … … … … … … … ..… .refer to Thermal Model
Stresses beyond those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond
those indicated in this document is not implied. Exposure to absolute maximum rated conditions for extended
periods of time may affect device reliability.
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504
5
Web: www.triquint.com
Share Link: 