RB886CM Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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RB886CM

Detection Schottky Diodes

ROHM Semiconductor 

RB886CM

Detection Schottky Diodes

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VR

5

V

IF

10

mA

VF

0.35

V

Ct

0.8

pF

Data sheet

　　　

　

　

　

　

　

　

　

●Feature

High reliability

Small mold type

Low capacitance

High Detection efficiency

　 *Note: This package is backside terminal.

　 　 　 It maynot formfillet when soldering.

●Inner Circuit

●Application

High frequency detection

●Structure

EPITAXIAL PLANAR

●Absolute Maximum Rating (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Repetitive Peak Reverse Voltage

VRM

Reverse voltage

VR

Forward current

IF

Junction temperature

Tj

Storage temperature

Tstg

●Electrical Characteristic (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Forward voltage

VF

Reverse current

IR

Capacitance between terminals

Ct

※Caution：static electricity

●Packaging Specification

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

8

Quantity(pcs)

8000

Taping Code

T2R

Marking

4

Limits

Unit

15

V

5

V

10

mA

125

℃

-40 ～ 125

℃

Conditions

IF=1.0mA

VR=5.0V

VR=1.0V f=1.0MHz

Min. Typ. Max. Unit

- - 0.35 V

- - 120 μA

- 0.53 0.8 pF

　

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com

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　 2019/08/09_Rev.005

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